IGB110S10S1XTMA1
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Siehe Produktspezifikationen
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726-IGB110S10S1XTMA1
IGB110S10S1XTMA1
Herst.:
Beschreibung:
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 1.78 CHF | 1.78 CHF | |
| 1.11 CHF | 11.10 CHF | |
| 0.785 CHF | 78.50 CHF | |
| 0.656 CHF | 328.00 CHF | |
| 0.60 CHF | 600.00 CHF | |
| 0.591 CHF | 1 477.50 CHF | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000) | ||
| 0.516 CHF | 2 580.00 CHF | |
| 0.51 CHF | 5 100.00 CHF | |
Datenblatt
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
