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IDW40G65C5XKSA1

Name: Infineon IDW40G65C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDW40G65C5XKSA1
Price: 10.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IDW40G65C5XKSA1

Herst.- Nr.:

IDW40G65C5XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODES

Datenblatt:

IDW40G65C5XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	10.59 CHF	10.59 CHF
	6.38 CHF	63.80 CHF
	5.51 CHF	551.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	40 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	182 A
Ir - Sperrstrom:	2.2 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	XDW40G65
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Pd - Verlustleistung:	183 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	CoolSiC
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	IDW40G65C5 SP001632890
Gewicht pro Stück:	6 g

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Models

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model SiC Diodes CoolSiC™ PSpice Generation 5 650V IDWxxG65C5 (Zip)

Technical Resources

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Die Siliziumkarbid-CoolSiC™ -MOSFETs und -Dioden von Infineon bieten ein Portfolio, das den Bedarf an intelligenterer und effizienterer Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung abdeckt. Das CoolSiC-Portfolio erfüllt die Kundenanforderungen nach einer Verringerung der Systemgröße und -kosten bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung, während gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards eingehalten werden, eine lange Systemlebensdauer gewährleistet und die Zuverlässigkeit garantiert wird. Mit CoolSiC werden Kunden die strengsten Effizienzziele erreichen und gleichzeitig die Betriebskosten senken. Das Portfolio umfasst CoolSiC-Schottky-Dioden, CoolSiC-Hybridmodule, CoolSiC-MOSFET-Module und diskrete sowie EiceDRIVER™ -Gate-Treiber-ICs für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-Geräten.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.