Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

HT8MC5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MC5TB1
Price: 1.51 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MC5TB1

Herst.- Nr.:

HT8MC5TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Lagerbestand:: 2 892 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.51 CHF	1.51 CHF
	0.968 CHF	9.68 CHF
	0.648 CHF	64.80 CHF
	0.514 CHF	257.00 CHF
	0.478 CHF	478.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.445 CHF	1 335.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V, 60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A, 11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms, 109 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC, 17.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	3.1 ns, 32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.3 S, 5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns, 17 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns, 91 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns, 9.7 ns