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HT8MC5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MC5TB1
Price: 1.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MC5TB1

Herst.- Nr.:

HT8MC5TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 NPCH 60V 10A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HT8MC5TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.699	CHF 69.90
	CHF 0.573	CHF 286.50
	CHF 0.508	CHF 508.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.433	CHF 1 299.00
	CHF 0.429	CHF 2 574.00
	CHF 0.425	CHF 10 200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V, 60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A, 11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms, 109 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC, 17.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	3.1 ns, 32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.3 S, 5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns, 17 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns, 91 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns, 9.7 ns

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Datenblatt

HT8MC5TB1 Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.