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HAS530M12BM3

Name: Wolfspeed HAS530M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS530M12BM3
Price: 739.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-HAS530M12BM3

Herst.- Nr.:

HAS530M12BM3

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

HAS530M12BM3 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	Half Bridge Modules
Typ:	Half Bridge
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	2 V
Vr - Sperrspannung:	800 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 19 V
Verpackung/Gehäuse:	105 mm x 62 mm x 31 mm
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Half Bridge
Id - Drain-Gleichstrom:	630 A
Pd - Verlustleistung:	2 kW
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.47 mOhms
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V

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Datenblatt

HAS530M12BM3 Datenblatt (PDF)

PCN

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Verfügt über SiC-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen

Wolfspeed HAS Siliziumkarbid (SiC)-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen, die die Systemvorteile von SiC bieten, während gleichzeitig das robuste 62 mm-Modul-Gehäuse nach Industriestandard beibehalten wird. Das interne Design aufgrund des Layouts mit niedriger Induktivität ermöglicht Hochgeschwindigkeits-SiC-Schaltvorteile und einen erhöhten Systemwirkungsgrad. Die Wolfspeed HAS Module eignen sich hervorragend für High-Mode -Industrieapplikationen, wie z. B. Induktionserwärmung, Schienenverkehr/Traktion, Motorantriebe und EV-Ladeinfrastrukturen.

62-mm-Siliziumkarbid-Halbbrückenmodule

Wolfspeed 62-mm-Siliziumkarbid(SiC)-Halbbrückenmodule von 1.200 V und 1.700 V kombinieren die Systemvorteile von SiC mit einem robusten Layout mit niedriger Induktivität. Die Halbbrückenmodule verfügen über einen erhöhten Systemwirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste von SiC. Diese Leistungsmodule enthalten ein internes Layout mit niedriger Induktivität, das eine maximale Spannungsnutzung mit minimalem Überschwingen und Schwingen ermöglicht. Die Halbbrücken-Module wählen aus Aluminiumnitrid-Keramik für einen reduzierten thermischen Widerstand mit robuster CTE-Anpassung oder Siliziumnitrid-Keramik für einen dauerhaften maximalen Sperrschichttemperaturbetrieb.