Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 9.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP2T040A120J

Herst.- Nr.:

GP2T040A120J

Herst.:

SemiQ

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Lagerbestand:: 25 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	66 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	38 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	112 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	357 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	GP2T020A120
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns