GE10MPS06E-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE10MPS06E-TR
GE10MPS06E-TR

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

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1.42 CHF 3 550.00 CHF
1.38 CHF 6 900.00 CHF

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Navitas Semiconductor
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252-2
Single
10 A
650 V
1.25 V
55 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
Marke: GeneSiC Semiconductor
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Pd - Verlustleistung: 191 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

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