GCMX080A120B2H1P

SemiQ
148-GCMX080A120B2H1P
GCMX080A120B2H1P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

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SemiQ
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Press Fit
N-Channel
1.2 kV
27 A
77 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
119 W
GCMX
Reel
Cut Tape
Marke: SemiQ
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 3 ns
Verpackung ab Werk: 40
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: Full Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit: 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule

SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Das charakteristische Merkmal dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Vollbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.