GCMX020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020B120S1-E1
Price: 26.48 CHF
Availability: OutOfStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX020B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMX020B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	113 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	395 W
Serie:	GCMX
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC MOSFET Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Vf - Durchlassspannung:	3.7 V

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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.