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GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 154.09 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX005A120S3B1N

Herst.- Nr.:

GCMX005A120S3B1-N

Herst.:

SemiQ

Lebenszyklus:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	S3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	424 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.531 kW
Serie:	GCMX
Verpackung:	Bulk
Marke:	SemiQ
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	24 ns
Höhe:	30.9 mm
Länge:	106.4 mm
Produkt:	Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Half Bridge Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	114 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	65 ns
Vf - Durchlassspannung:	4 V
Breite:	61.4 mm