GA01PNS150-220

GeneSiC Semiconductor
905-GA01PNS150-220
GA01PNS150-220

Herst.:

Beschreibung:
Pin-Dioden 15000V 1A Standard

Datenblatt:
ECAD Model:
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Navitas Semiconductor
Produktkategorie: Pin-Dioden
RoHS:  
15 kV
1 A
6.4 V
- 55 C
+ 175 C
Through Hole
TO-220-2
SiC PiN
Tube
Marke: GeneSiC Semiconductor
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Produkt-Typ: PIN Diodes
Rückstellungszeit: 230 ns
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Technologie: SiC
Typ: Silicon Carbide PiN
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

SiC PiN Diodes

GeneSiC Semiconductor SiC PiN Diodes offer reduced stacking and system complexity. The SiC PiN Diodes have ultra-fast high-temperature switching, increasing reliability. Additionally, the PiN Diodes feature a repetitive peak reverse voltage range of 8kV to 15kV and a 1A to 2A continuous forward current. The SiC PiN Diodes are ideal for lighting, defense, and trigger circuit applications.

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