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FS520R12A8P1LBHPSA1

Name: Infineon FS520R12A8P1LBHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS520R12A8P1LBHP
Price: 321.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS520R12A8P1LBHP

Herst.- Nr.:

FS520R12A8P1LBHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G2 SI

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS520R12A8P1LBHPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguration:	Hex
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.48 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	520 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	1 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	DE
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Press Fit
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Drive G2
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	Si
Handelsname:	HybridPACK
Artikel # Aliases:	FS520R12A8P1LB SP005850366

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Datenblatt

FS520R12A8P1LBHPSA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module sind kompakte Leistungsmodule, die für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Betriebsverhalten durch den Einsatz von Si- oder SiC -Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Es wurde im 2017 mit Silizium- EDT2 -Technologie eingeführt und für den Wirkungsgrad im realen Fahrbetrieb optimiert. 2021 wurde eine CoolSiC™ Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und ein besseres Betriebsverhalten bietet. 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET Technologien eingeführt, die eine einfache Anwendung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bieten und bis zu 300 kW Betriebsverhalten innerhalb der Klassen 750 V und 1.200 V ermöglichen.