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FS410R12A7P1BHPSA1

Name: Infineon FS410R12A7P1BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS410R12A7P1BHPS
Price: 291.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS410R12A7P1BHPS

Herst.- Nr.:

FS410R12A7P1BHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFET-Module HybridPACK Drive G2 module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS410R12A7P1BHPSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	HybridPACK
Transistorpolung:	N-Channel
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	775 W
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	DE
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	77 ns
Produkt:	MOSFET Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	46 ns
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit:	466 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	107 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.68 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Artikel # Aliases:	FS410R12A7P1B SP005675819

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Datenblatt

FS410R12A7P1BHPSA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module sind kompakte Leistungsmodule, die für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Betriebsverhalten durch den Einsatz von Si- oder SiC -Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Es wurde im 2017 mit Silizium- EDT2 -Technologie eingeführt und für den Wirkungsgrad im realen Fahrbetrieb optimiert. 2021 wurde eine CoolSiC™ Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und ein besseres Betriebsverhalten bietet. 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET Technologien eingeführt, die eine einfache Anwendung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bieten und bis zu 300 kW Betriebsverhalten innerhalb der Klassen 750 V und 1.200 V ermöglichen.