FS1150R08A8P3LBCHPSA1

Infineon Technologies
726-FS1150R08A8P3LBC
FS1150R08A8P3LBCHPSA1

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SI

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Infineon
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
RoHS:  
Si
G2
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Verpackung ab Werk: 6
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Handelsname: HybridPACK
Artikel # Aliases: FS1150R08A8P3LBC SP005724696
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Konformitätscodes
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Deutschland
Herstellungsland:
Deutschland
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

HybridPACK™ Drive G2 Module

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module sind kompakte Leistungsmodule, die für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Betriebsverhalten durch den Einsatz von Si- oder SiC -Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Es wurde im 2017 mit Silizium- EDT2 -Technologie eingeführt und für den Wirkungsgrad im realen Fahrbetrieb optimiert. 2021 wurde eine CoolSiC™ Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und ein besseres Betriebsverhalten bietet. 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET Technologien eingeführt, die eine einfache Anwendung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bieten und bis zu 300 kW Betriebsverhalten innerhalb der Klassen 750 V und 1.200 V ermöglichen.