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FS01M5R12A7MA2BHPSA1

Name: Infineon FS01M5R12A7MA2BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01M5R12A7MA2BH
Price: 955 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS01M5R12A7MA2BH

Herst.- Nr.:

FS01M5R12A7MA2BHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

FS01M5R12A7MA2BHPSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
Produkt:	Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	4.46 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 19 V
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	HybridPACK
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 185 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	DE
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	44 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	430 A
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 mOhms
Anstiegszeit:	81 ns
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HybridPACK
Regelabschaltverzögerungszeit:	232 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	143 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.55 V
Artikel # Aliases:	FS01M5R12A7MA2B SP006157483

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Datenblatt

FS01M5R12A7MA2BHPSA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module sind kompakte Leistungsmodule, die für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Betriebsverhalten durch den Einsatz von Si- oder SiC -Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Es wurde im 2017 mit Silizium- EDT2 -Technologie eingeführt und für den Wirkungsgrad im realen Fahrbetrieb optimiert. 2021 wurde eine CoolSiC™ Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und ein besseres Betriebsverhalten bietet. 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET Technologien eingeführt, die eine einfache Anwendung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bieten und bis zu 300 kW Betriebsverhalten innerhalb der Klassen 750 V und 1.200 V ermöglichen.