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FM24V10-GTR

Name: Infineon FM24V10-GTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM24V10-GTR
Price: 15.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

877-FM24V10-GTR

Herst.- Nr.:

FM24V10-GTR

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Datenblatt:

FM24V10-GTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	15.56 CHF	15.56 CHF
	14.44 CHF	144.40 CHF
	13.99 CHF	349.75 CHF
	13.65 CHF	682.50 CHF
	13.30 CHF	1 330.00 CHF
	12.87 CHF	3 217.50 CHF
	12.54 CHF	6 270.00 CHF
	12.49 CHF	12 490.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	11.78 CHF	29 450.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	F-RAM
RoHS:
Memory Size:	1 Mbit
Interface Type:	I2C
Maximum Clock Frequency:	3.4 MHz
Organization:	128 k x 8
Package / Case:	SOIC-8
Supply Voltage - Min:	2 V
Supply Voltage - Max:	3.6 V
Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C
Series:	FM24V10-G
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	Infineon Technologies
Moisture Sensitive:	Yes
Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Supply Voltage:	2 V to 3.6 V
Product Type:	FRAM
Verpackung ab Werk:	2500
Subcategory:	Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück:	774,450 mg

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Datenblatt

FM24V10-GTR Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Thailand
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.