FGY4L100T120SWD

onsemi
863-FGY4L100T120SWD
FGY4L100T120SWD

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
20 V
200 A
1.071 kW
- 55 C
+ 175 C
FGY4L100T120SWD
Tube
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.: 100 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 400 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FGY4LxxT120SWD n-Kanal-1.200-V-IGBTs

Die n-Kanal-1.200-V-IGBTs der Baureihe FGY4LxxT120SWD von onsemi verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und die Gen7-Diode in einem 4−poligen TO-247-Gehäuse. Der FGY4LxxT120SWD von onsemi bietet eine optimale Leistung mit niedrigen Schalt- und Leitungsverlusten für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, wie z. B. Solar−Wechselrichter, USV und ESS.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.