FGH40T120SQDNL4

onsemi
863-FGH40T120SQDNL4
FGH40T120SQDNL4

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.78 V
- 20 V, 20 V
160 A
454 W
- 55 C
+ 175 C
FGH40T120SQDNL4
Tube
Marke: onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 9.195 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.