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FFSP20120A

Name: onsemi FFSP20120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP20120A
Price: 9.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FFSP20120A

Herst.- Nr.:

FFSP20120A

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode

Datenblatt:

FFSP20120A Datenblatt

ECAD Model:

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	6.82 CHF	68.20 CHF
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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	20 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	135 A
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSP20120A
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Pd - Verlustleistung:	340 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Gewicht pro Stück:	2,160 g

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Datenblatt

FFSP20120A Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

onsemi Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. SiC-Schottky-Dioden verfügen über keinen Sperrverzögerungsstrom, eine temperaturunabhängige Schaltung und eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Systemvorteilen zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, geringe EMI und eine reduzierte Systemgröße und niedrigere Kosten. onsemi bietet Bauteile in 650 V und 1.200 V mit zahlreichen Strom- und Gehäuseoptionen, die sich bestens für Leistungssystemdesigns der nächsten Generation eignen.

D1 EliteSiC-Dioden

Die D1 EliteSiC-Dioden von onsemi sind eine leistungsstarke und vielseitige Lösung, die für moderne Leistungselektronik-Applikationen ausgelegt ist. Der onsemi D1 verfügt über Spannungswerte von 650 V, 1200 V und 1700 V. Diese Dioden bieten die Flexibilität, um verschiedene Design-Anforderungen zu erfüllen. Mit verschiedenen Gehäusen, beispielsweise D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 und TO-247-3, bieten die D1 EliteSiC-Dioden dem Designer Optionen zur Optimierung der Boardfläche und der thermischen Leistung.

Breitbandlücken-SiC-Bauteile

Die Breitbandlücken-Siliziumkarbid-Bauteile von onsemi enthalten eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Das SiC-Portfolio von onsemi umfasst 650-V- und 1.200-V-Dioden, 650-V- und 1.200-V-IGBT- und SiC-Dioden-Power-Integrated-Module (PIMs), 1.200-V-MOSFETs und SiC-MOSFET-Treiber sowie AEC-Q100-qualifizierte Bauteile.

1.200-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Vorteilen für das System zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI sowie eine geringere Systemgröße und -kosten.

FFSP SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden (Siliziumkarbid) nutzen die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauteilen gegenüber Nur-Silizium-(Si)-Bauteilen in vollem Umfang und bieten eine erheblich höhere Überstromfestigkeit, einen geringeren Rest-Sperrstrom und keinen Sperrverzögerungsstrom. Diese SiC-Schottky-Dioden verfügen außerdem über temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit. Dies führt zu einem verbesserten System-Wirkungsgrad, schnellerer Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter EMI, kleinerer Systemgröße und niedrigeren Kosten.