FFSH4065BDN-F085

onsemi
863-FFSH4065BDN-F085
FFSH4065BDN-F085

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
40 A
650 V
1.38 V
84 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH4065BDN-F085
AEC-Q101
Tube
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 127 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 650 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FFSPx065BDN-F085 Automotive-SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive-SiC-Schottky-Dioden (Siliziumkarbid) sind AEC-Q101-qualifizierte Bauteile, die zur Nutzung der Vorteile von Siliziumkarbid-über-Silizium (Si) ausgerichtet sind. Die FFSPx065BDN-F085 SiC-Schottky-Dioden bieten ein erheblich höheres Ableitvermögen, einen geringeren Sperrstrom und keinen Sperrverzögerungsstrom. Darüber hinaus bieten diese SiC-Schottky-Dioden eine temperaturunabhängige Schaltung und ein hervorragendes Wärmeverhalten. Dies führt zu einem verbesserten Systemwirkungsgrad, schnellerer Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter EMI, kleinerer Systemgröße und niedrigeren Kosten.

D2 EliteSiC-Dioden

onsemi D2 EliteSiC-Dioden sind eine Reihe von Hochleistungs-Dioden, die für Applikationen ausgelegt sind, die eine Nennspannung von 650 V erfordern. Der D2 von onsemi ist in verschiedenen Gehäusen erhältlich, einschließlich DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 und TO-247-3. Diese Dioden bieten eine niedrige kapazitive Ladung (QC) und sind für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen mit niedriger Durchlassspannung optimiert. Diese Eigenschaften machen die Dioden ideal für Blindleistungskompensation (PFC) und Ausgangsgleichrichtungs-Applikationen.

650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Die Vorteile für das System sind ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI, eine kleine Systemgröße und niedrige Kosten.

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