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FDD86540

Name: onsemi FDD86540
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86540
Price: 1.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDD86540

Herst.- Nr.:

FDD86540

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDD86540 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.52	CHF 1.52
	CHF 0.961	CHF 9.61
	CHF 0.648	CHF 64.80
	CHF 0.512	CHF 256.00
	CHF 0.474	CHF 474.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.443	CHF 1 107.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	90 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	127 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDD86540
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

FDD86540 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTD5Cx Leistungs-MOSFETs

onsemi NTD5Cx Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten sowie niedrigem Q_G und einer Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von 40 V und 60 V. Diese NTD5Cx Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebs- und Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Diese NTD5Cx MOSFETs sind bleifreie, halogen-/BFR-freie und RoHS-konforme Bauteile.