F3L200R07W2S5FPB55BPSA1

Infineon Technologies
726-L200R07W2S5FPB55
F3L200R07W2S5FPB55BPSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module

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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS:  
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: IGBT Modules
Verpackung ab Werk: 18
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: F3L200R07W2S5FP_B55 SP002662580
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Konformitätscodes
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Ungarn
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Deutschland
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F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module verfügen über eine erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von 650 V und verwenden eine CoolSiC™ Schottky-Diode (gen5). Diese Bauteile basieren auf der TRENCHSTOP™-IGBT5- und PressFIT-Kontakttechnologie. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module bieten stark reduzierte Schaltverluste und ein Al2O3 -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand. Diese Module verfügen über ein kompaktes Design, das eine robuste Montage durch integrierte Montageklemmen und vorinstalliertes thermisches Schnittstellenmaterial umfasst. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module eignen sich hervorragend für Motorantriebe, Solarapplikationen, Dreistufen-Applikationen und USV-Systeme.