Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

E4MS036120K

Name: Wolfspeed E4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS036120K
Price: 9.55 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-E4MS036120K

Herst.- Nr.:

E4MS036120K

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

E4MS036120K Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Wolfspeed E4MS036120K

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: Voraussichtlichen Liefertermin anfordern

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 9.55	CHF 9.55
	CHF 7.78	CHF 77.80
	CHF 6.48	CHF 777.60
	CHF 5.77	CHF 2 942.70
	CHF 4.91	CHF 5 008.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	47 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	88 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	211 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	3 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channe
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

E4MS036120K Datenblatt (PDF)

ECCN:: EAR99

1.200 V E4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V E4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in On-Board-Fahrzeuganwendungen. Die E4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und so den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die E4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur E3M-Produktfamilie verbesserte E_on-, E_RR- und E_off-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS_(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an On-Board-Topologien hinweg.