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E4MS025120K

Name: Wolfspeed E4MS025120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS025120K
Price: 10.44 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-E4MS025120K

Herst.- Nr.:

E4MS025120K

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

E4MS025120K Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 6.38	CHF 3 253.80
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	77 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	125 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	281 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	28 S
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

E4MS025120K Datenblatt (PDF)

ECCN:: EAR99

1.200 V E4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V E4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in On-Board-Fahrzeuganwendungen. Die E4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und so den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die E4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur E3M-Produktfamilie verbesserte E_on-, E_RR- und E_off-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS_(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an On-Board-Topologien hinweg.