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DXTN07060BFG-7

Name: Diodes Incorporated DXTN07060BFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN07060BFG-7
Price: 0.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DXTN07060BFG-7

Herst.- Nr.:

DXTN07060BFG-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Datenblatt:

DXTN07060BFG-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.673 CHF	0.67 CHF
	0.417 CHF	4.17 CHF
	0.269 CHF	26.90 CHF
	0.206 CHF	103.00 CHF
	0.187 CHF	187.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	0.155 CHF	310.00 CHF
	0.143 CHF	572.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI3333-8
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	3 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	60 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	175 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	3 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100
DC Stromverstärkung hFE max.:	300
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	30 mg

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Datenblatt

DXTN07060BFG-7 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs)

Die DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs) von Diodes Incorporated in kleineren, thermisch effizienten PowerDI®3333-8-Gehäusen angeboten. Diese Transistoren sind in einem oberflächenmontierbaren PowerDI-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm untergebracht. Das Gehäuse benötigt 70 % weniger Leiterplattenplatz (PCB) als herkömmliche Transistoren mit kleinem Umriss (SOT223). Die PowerDI3333-Gehäuse erhöhen den PCB-Durchsatz mit benetzbaren Flanken, wodurch die automatische optische Inspektion (AOI) mit hoher Geschwindigkeit von Lötstellen vereinfacht wird. Diese NPN- und PNP-Transistoren können Funktionen, wie z. B. eine Linear- oder LDO-Regelung, ein Gate-Driving von MOSFETs oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Lastschaltern über Industrie- und Verbraucherapplikationen durchführen.