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DMWSH120H90SM4

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H90SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H90SM4
Price: 9.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMWSH120H90SM4

Herst.- Nr.:

DMWSH120H90SM4

Herst.:

Diodes Incorporated

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	97.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	51.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	235 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6.4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	21.3 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.1 ns