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DMWSH120H28SM4Q

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H28SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H28SM4Q
Price: 28.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMWSH120H28SM4Q

Herst.- Nr.:

DMWSH120H28SM4Q

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

Datenblatt:

DMWSH120H28SM4Q Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	28.86 CHF	28.86 CHF
	20.85 CHF	208.50 CHF
	20.04 CHF	2 404.80 CHF

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	173.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	429 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12.52 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	15 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	40.06 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23.83 ns