DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated
621-DMTH6010LPSQ-13
DMTH6010LPSQ-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

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CHF 0.565 CHF 282.50
CHF 0.524 CHF 524.00
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
13.5 A
6.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
41.3 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9.7 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.3 ns
Serie: DMTH6010
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.7 ns
Gewicht pro Stück: 96 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

DMTH601xLPSQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs

Der 60-V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET DMTH601xLPSQ von Diodes Inc. wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobil-Applikationen zu erfüllen. DMTH601xLPSQ MOSFETs sind qualifiziert für AEC-Q101, durch ein Produktionsteil-Abnehmverfahren unterstützt und eignen sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und für DC/DC-Wandler. DMTH601xLPSQ MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(ON), eine niedrige Eingangskapazität und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Angeboten im einzigartigen PowerDI®5060-Gehäuse von Diodes Incorporated sind DMTH601xLPSQ MOSFETs auf +175 °C dimensioniert und verfügen über eine Off-Board-Höhe von <1,1 mm. Dies macht DMTH601xLPSQ MOSFETs gut geeignet für Hochtemperaturumgebungen und Applikationen mit niedrigem Profil.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.