DMTH4M72SPGWQ-13

Diodes Incorporated
621-DMTH4M72SPGWQ-13
DMTH4M72SPGWQ-13

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Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K

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DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET ist ein Automotive-konformer 40-V-MOSFET, der bei einem Gate-Drive von 10 V und einer Gate-Ladung von 117 nC über einen typischen RDS(ON) von 0,54 mΩ verfügt. Das DMTH4M70SPGWQ wird in einem innovativen, thermisch effizienten Hochstrom-PowerDI®-8080-5-Leistungsgehäuse angeboten und eignet sich hervorragend für Elektrofahrzeugapplikationen (EV). Der AEC-Q101-qualifizierte DMTH4M70SPGWQ MOSFET von Diodes Incorporated unterstützt Designer von Automotive-Hochleistungs-BLDC-Motorantrieben, DC/DC-Wandlern und Ladesystemen bei der Maximierung des Systemwirkungsgrads und gleichzeitiger Gewährleistung einer minimalen Verlustleistung. Das Bauteil bietet eine Betriebstemperatur von bis zu +175 °C.

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