DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated
621-DMG6898LSD-13
DMG6898LSD-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET N-CHAN

ECAD Model:
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CHF 0.499 CHF 4.99
CHF 0.326 CHF 32.60
CHF 0.252 CHF 126.00
CHF 0.227 CHF 227.00
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
20 V
9.5 A
11 mOhms
- 12 V, 12 V
500 mV
26 nC
- 55 C
+ 150 C
1.28 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 12.33 ns, 12.33 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 12.49 ns, 12.49 ns
Serie: DMG6898
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35.89 ns, 35.89 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11.67 ns, 11.67 ns
Gewicht pro Stück: 750 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.