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DMG1013T-7

Name: Diodes Incorporated DMG1013T-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG1013T-7
Price: 0.2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMG1013T-7

Herst.- Nr.:

DMG1013T-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523

Datenblatt:

DMG1013T-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.203	CHF 0.20
	CHF 0.124	CHF 1.24
	CHF 0.078	CHF 7.80
	CHF 0.057	CHF 28.50
	CHF 0.05	CHF 50.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.033	CHF 99.00
	CHF 0.03	CHF 180.00
	CHF 0.026	CHF 234.00
	CHF 0.025	CHF 600.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-523-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	460 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	622.4 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	270 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.9 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.1 ns
Serie:	DMG1013
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.1 ns
Gewicht pro Stück:	2 mg

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Datenblatt

DMG1013T-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.