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DIF120SIC053

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC053
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC053
Price: 18.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIF120SIC053

Herst.- Nr.:

DIF120SIC053

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DIF120SIC053 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 18.82	CHF 18.82
	CHF 14.71	CHF 147.10
	CHF 8.83	CHF 1 059.60
	CHF 6.56	CHF 3 345.60
	CHF 6.40	CHF 6 528.00
2 520	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	65 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	121 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIF120SIC053
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	21 S
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	58 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns

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Datenblatt

DIF120SIC053 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.