DIF120SIC028

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC028
Price: 24.45 CHF
Availability: InStock

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Mouser-Nr.:

637-DIF120SIC028

Herst.- Nr.:

DIF120SIC028

Herst.:

Diotec Semiconductor

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Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	118 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	373 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	715 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIF120SIC028
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	49 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	104 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	156 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	156 ns