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DIF120SIC022-AQ

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC022-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC022-AQ
Price: 46.31 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIF120SIC022-AQ

Herst.- Nr.:

DIF120SIC022-AQ

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive

Datenblatt:

DIF120SIC022-AQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	46.31 CHF	46.31 CHF
	37.78 CHF	377.80 CHF
	37.77 CHF	4 532.40 CHF
510	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	269 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	340 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIF120SIC022-AQ
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	35 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	38 ns
Serie:	SIC120
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	108 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	150 ns

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Datenblatt

DIF120SIC022-AQ Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.