DF2B6M4ASL,L3F

Toshiba
757-DF2B6M4ASLL3F
DF2B6M4ASL,L3F

Herst.:

Beschreibung:
ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Bi-Dir ESD 2A; 5.5V SOD-962 (SL2)

ECAD Model:
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Gehäuse:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.178 CHF 0.18
CHF 0.121 CHF 1.21
CHF 0.046 CHF 4.60
CHF 0.045 CHF 45.00
CHF 0.044 CHF 220.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
CHF 0.04 CHF 400.00
CHF 0.034 CHF 680.00
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Toshiba
Produktkategorie: ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:  
Bidirectional
1 Channel
5.5 V
SMD/SMT
20 V
6.2 V
SOD-962-2
2 A
30 W
0.15 pF
15 kV
15 kV
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Betriebsversorgungsspannung: 5.5 V
Produkt: ESD Suppressors
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Gewicht pro Stück: 0.200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411029
ECCN:
EAR99

DF2Bx ESD-Schutzdioden

Die Toshiba  DF2Bx ESD-Schutzdioden sind zum Schutz von Halbleiterbauteilen ausgelegt, die in mobilen Geräteschnittstellen und anderen Applikationen gegen statische Elektrizität und Rauschen verwendet werden. Diese Dioden nutzen Snapback-Eigenschaften, um einen niedrigen dynamischen Widerstand und eine hervorragende Schutzleistung zu bieten. Die DF2Bx ESD-Schutzdioden sind für die Verwendung mit einer 3,3-V-/5-V-Signalleitung geeignet. Diese Dioden sind in einem kompakten Gehäuse verfügbar, das sich für den Einsatz in Board-Layouts mit hoher Dichte eignet, beispielsweise von Mobilgeräten. Typische Anwendungen sind Smartphones, Tablets, Notebooks und Desktop-PCs.

DF2BxM4ASL ESD-Schutzdioden

Toshiba  DF2BxM4ASL ESD-Schutzdioden schützen Halbleiterbauteile, wie z. B. Schnittstellen von mobilen Geräten und andere Applikationen gegen  statische Elektrizität und Rauschen. Diese ESD-Schutzdioden nutzen  Snapback-Eigenschaften, um einen niedrigen dynamischen Widerstand und eine hervorragende Schutzleistung zu bieten. Die DF2BxM4ASL Dioden eignen sich hervorragend für die Hochgeschwindigkeits-Signalapplikation für eine Leistungsfähigkeit mit niedriger Kapazität. Diese ESD-Schutzdioden werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gelagert. Die DF2BxM4ASL Dioden arbeiten bei einer Sperrschichttemperatur von 150 °C, einer Spitzenimpulsleistung von 30 W und einem Spitzenimpulsstrom von 2 A.  Typische Anwendungen sind Smartphones, Tablets, Notebooks und Desktop-PCs.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.