CGHV40180F

MACOM
941-CGHV40180F
CGHV40180F

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs GaN HEMT

ECAD Model:
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MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
Screw Mount
440223
N-Channel
125 V
18 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
150 W
Marke: MACOM
Entwicklungs-Kit: CGHV40180F-TB1
Verstärkung: 20.3 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 1 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 50 MHz
Ausgangsleistung: 180 W
Verpackung: Tray
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück: 25.676 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.