CG2H40010F

MACOM
941-CG2H40010F
CG2H40010F

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

ECAD Model:
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MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
Screw Mount
440166
N-Channel
120 V
1.5 A
- 2.7 V
- 40 C
+ 150 C
Marke: MACOM
Verstärkung: 16.5 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 0 Hz
Ausgangsleistung: 10 W
Verpackung: Tray
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück: 4.200 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.