CDFG6558N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDFG6558NTR13PBF
CDFG6558N TR13 PBFREE

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

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CHF 4.32 CHF 10 800.00

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Central Semiconductor
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Depletion
Marke: Central Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Field Effect Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: Power FET
Regelabschaltverzögerungszeit: 5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.