CDF56G7032N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G7032N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CD56G7032NTR13PB
Price: 5.5 CHF
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

610-CD56G7032NTR13PB

Herst.- Nr.:

CDF56G7032N TR13 PBFREE

Herst.:

Central Semiconductor

Beschreibung:

GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

CDF56G7032N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Central Semiconductor
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 155 C
Pd - Verlustleistung:	113 W
Kanalmodus:	Depletion
Marke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Field Effect Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Power FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns

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Datenblatt

CDF56G7032N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.