CDF56G6517N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDF56G6517NTR13P
Price: 4.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

610-CDF56G6517NTR13P

Herst.- Nr.:

CDF56G6517N TR13 PBFREE

Herst.:

Central Semiconductor

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET

Datenblatt:

CDF56G6517N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Central Semiconductor CDF56G6517N TR13 PBFREE

Auf Lager: 2 438

Lagerbestand:: 2 438 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 4.59	CHF 4.59
	CHF 3.53	CHF 35.30
	CHF 2.57	CHF 257.00
	CHF 2.50	CHF 2 500.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 2.18	CHF 5 450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Central Semiconductor
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	113 W
Kanalmodus:	Depletion
Marke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Maximale Betriebsfrequenz:	100 kHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

CDF56G6517N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.