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C4MS025120U2-TR

Name: Wolfspeed C4MS025120U2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS025120U2-TR
Price: 5.15 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-C4MS025120U2-TR

Herst.- Nr.:

C4MS025120U2-TR

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

C4MS025120U2-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSC (U2)-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	94 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	125 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	455 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	28 S
Verpackung:	Reel
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

C4MS025120U2-TR Datenblatt (PDF)

ECCN:: EAR99

1.200 V C4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V C4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in hartgeschalteten Applikationen. Die C4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die ein schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und somit den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die C4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur C3M-Produktfamilie verbesserte E_on-, E_RR- und E_off-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS_(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an hart- und weichschaltenden Topologien hinweg.