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BYC8-1200PQ

Name: WeEn Semiconductors BYC8-1200PQ
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-BYC8-1200PQ
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BYC8-1200PQ

Herst.- Nr.:

BYC8-1200PQ

Herst.:

WeEn Semiconductors

Beschreibung:

Gleichrichter Hyperfast power diode EEPPTM- Efficiency Enhanced Pt Planar rectifier

Datenblatt:

BYC8-1200PQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 0.826	CHF 8.26
	CHF 0.547	CHF 54.70
	CHF 0.454	CHF 227.00
	CHF 0.385	CHF 385.00
	CHF 0.361	CHF 722.00
	CHF 0.325	CHF 1 625.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	WeEn Semiconductors
Produktkategorie:	Gleichrichter
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AC-2
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
If - Durchlassstrom:	8 A
Typ:	Fast Recovery Rectifiers
Konfiguration:	Single
Vf - Durchlassspannung:	2.4 V
Max. Spitzenstrom:	110 A
Ir - Sperrstrom:	100 uA
Rückstellungszeit:	46 ns
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	WeEn Semiconductors
Produkt:	Rectifiers
Produkt-Typ:	Rectifiers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EEPP
Artikel # Aliases:	934072036127

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

NXP Hyperschnelle Recovery-Leistungsdioden

Die hyperschnellen Leistungsdioden von NXP wurden entwickelt, um den besten Ausgleich zwischen Durchlassspannung (VF) und Sperrerholzeit (trr) zu erreichen, Leistungsverluste sowohl auf den Dioden als auch auf dem zugehörigen MOSFET zu minimieren und die gesamte Systemleistung in Schaltmodus-Stromversorgungsanwendungen (SMPS) zu maximieren. Sie stellen im Vergleich zur Verwendung der Schottky-Technologie eine kostengünstige Lösung dar.
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