BV1LD040EFJ-CE2

ROHM Semiconductor
755-BV1LD040EFJ-CE2
BV1LD040EFJ-CE2

Herst.:

Beschreibung:
Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler Automotive IPD 1ch Low Side Switch with Output Diagnostic Function

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0.691 CHF 172.75 CHF
0.664 CHF 332.00 CHF
0.658 CHF 658.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0.615 CHF 1 537.50 CHF
0.602 CHF 3 010.00 CHF

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler
RoHS:  
Automotive Low Side Switch
1 Output
5.5 A
8 A
52 mOhms
100 us
130 us
3 V to 5.5 V
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HTSOP-8
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Produkt: Load Switches
Produkt-Typ: Power Switch ICs - Power Distribution
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Switch ICs
Versorgungsspannung - Max.: 5.5 V
Versorgungsspannung - Min.: 3 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BV1LDx Automotive-IPD-Einkanal-Low-Side-Schalter

ROHM Semiconductor BV1LDx Automotive-IPD-Einkanal-Low-Side-Schalter sind mit einer Ausgangsdiagnosefunktion für die thermische Abschaltung (TSD) ausgestattet. Diese Bauteile enthalten einen monolithischen Leistungsmanagement-IC (PMIC) mit einem Steuerblock (CMOS) und einem Leistungs-MOSFET auf einem einzigen Chip. Die Low-Side-Schalter der Baureihe BV1LDx zeichnen sich durch integrierte Schutzfunktionen, wie z. B. aktive Klemmfunktion, Überstromschutz und duale thermische Abschaltung, aus. Diese IPD-Schalter für Fahrzeuganwendungen bieten einen typischen On-Widerstand von bis zu 250 mΩ (RDS(ON)) mit 5 VIN und Temperaturbedingungen Tvon 25 °C. Diese Low-Side-Schalter sind in einem HTSOP-J8-Gehäuse mit Abmessungen von 4,9 mm x 6 mm x 1 mm verfügbar. Die gemäß AEC-Q100 qualifizierten Low-Side-Schalter der Baureihe BV1LDx sind für Fahrzeuganwendungen mit 12 V ausgelegt und eignen sich für den Antrieb von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten.