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BUK7M4R3-40HX

Name: Nexperia BUK7M4R3-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7M4R3-40HX
Price: 1.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK7M4R3-40HX

Herst.- Nr.:

BUK7M4R3-40HX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 95A

Datenblatt:

BUK7M4R3-40HX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.77	CHF 1.77
	CHF 1.13	CHF 11.30
	CHF 0.989	CHF 49.45
	CHF 0.76	CHF 76.00
	CHF 0.759	CHF 189.75
	CHF 0.614	CHF 307.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.338	CHF 507.00
	CHF 0.313	CHF 939.00
	CHF 0.299	CHF 1 345.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-33-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	90 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Artikel # Aliases:	934660782115
Gewicht pro Stück:	42.600 mg

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LFPAK33 Trench 9 Automotive-MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive-MOSFETs sind ein Portfolio von 40 V AEC-Q101-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) für Module in anspruchsvollen Antriebsstrang-Applikationen. Die Bauteile sind in einem Miniatur-LFPAK33-Gehäuse mit einem Footprint von nur 10,9 mm² untergebracht. Die LFPAK33 MOSFETs verwenden die Trench 9-Technologie von Nexperia. Dies führt zu einer Reduzierung des R_DS(on) von 48 % im Vergleich zu früheren Bauteilen. Diese Geräte decken eine Reihe von Applikationen von 30 W bis 300 W ab. Die BUK7M3R3-40H und BUK9M3R3-40H (Standardpegel und Logikpegel) Bauteile verfügen über einen R_DS(on) von 3,3 mΩ.