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BST91B1P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST91B1P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST91B1P4K01-VC
Price: 87.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BST91B1P4K01-VC

Herst.- Nr.:

BST91B1P4K01-VC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BST91B1P4K01-VC Datenblatt

ECAD Model:

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	87.60 CHF	87.60 CHF
	72.87 CHF	728.70 CHF
	66.84 CHF	8 020.80 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Technologie:	SiC
Verpackung/Gehäuse:	HSDIP-20
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	385 W
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Quad
Abfallzeit:	14.2 ns
Produkt:	Power Module
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	39.3 ns
Verpackung ab Werk:	60
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EcoSiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	213.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	49.3 ns

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Datenblatt

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Specification Sheets

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Hochdichte SiC-Leistungsmodule

Die hochdichten Siliziumkarbid- (SiC) Leistungsmodule von ROHM Semiconductor wurden für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Das Sortiment umfasst mehrere Gehäuseplattformen wie TRCDRIVE pack™, HSDIP20 und DOT-247, die jeweils für unterschiedliche Leistungsklassen und Systemanforderungen optimiert sind. Diese Gehäuse integrieren SiC-MOSFETs in kompakte Modulstrukturen, die eine hohe Leistungsdichte, stabile Schaltleistung und effizientes Wärmemanagement ermöglichen. JJe nach Gehäuse sind Konfigurationen wie 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1 verfügbar, die Flexibilität für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen bieten.