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BST47T1P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST47T1P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST47T1P4K01-VC
Price: 69.71 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BST47T1P4K01-VC

Herst.- Nr.:

BST47T1P4K01-VC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

BST47T1P4K01-VC Datenblatt

ECAD Model:

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	69.71 CHF	69.71 CHF
	57.61 CHF	576.10 CHF
	52.25 CHF	6 270.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Technologie:	SiC
Verpackung/Gehäuse:	HSDIP-20
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	6 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	227 W
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Abfallzeit:	15 ns
Produkt:	Power Module
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	23 ns
Verpackung ab Werk:	60
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EcoSiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	103 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

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Datenblatt

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Specification Sheets

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Hochdichte SiC-Leistungsmodule

Die hochdichten Siliziumkarbid- (SiC) Leistungsmodule von ROHM Semiconductor wurden für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Das Sortiment umfasst mehrere Gehäuseplattformen wie TRCDRIVE pack™, HSDIP20 und DOT-247, die jeweils für unterschiedliche Leistungsklassen und Systemanforderungen optimiert sind. Diese Gehäuse integrieren SiC-MOSFETs in kompakte Modulstrukturen, die eine hohe Leistungsdichte, stabile Schaltleistung und effizientes Wärmemanagement ermöglichen. JJe nach Gehäuse sind Konfigurationen wie 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1 verfügbar, die Flexibilität für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen bieten.