Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

BSM300C12P3E201

Name: ROHM Semiconductor BSM300C12P3E201
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300C12P3E201
Price: 526.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSM300C12P3E201

Herst.- Nr.:

BSM300C12P3E201

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Datenblatt:

BSM300C12P3E201 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor BSM300C12P3E201

Auf Lager: 4

Lagerbestand:: 4 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 526.99	CHF 526.99

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	300 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.36 kW
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Höhe:	15.4 mm
If - Durchlassstrom:	300 A
Länge:	152 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	155 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.6 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Breite:	62 mm
Gewicht pro Stück:	615.801 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

BSM300C12P3E201 Datenblatt (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.