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BSM250D17P2E004

Name: ROHM Semiconductor BSM250D17P2E004
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM250D17P2E004
Price: 829.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSM250D17P2E004

Herst.- Nr.:

BSM250D17P2E004

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

Datenblatt:

BSM250D17P2E004 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	250 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.8 kW
Serie:	BSMx
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	70 ns
Höhe:	15.4 mm
Länge:	152 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	55 ns
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	195 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	55 ns
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Breite:	62 mm
Gewicht pro Stück:	431 g

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Test/Quality Data

Export Regulation (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541590080
JPHTS:: 854159000
TARIC:: 8541590000
MXHTS:: 8541500100
ECCN:: EAR99

SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.