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BSM180D12P3C007

Name: ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180D12P3C007
Price: 474.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSM180D12P3C007

Herst.- Nr.:

BSM180D12P3C007

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Datenblatt:

BSM180D12P3C007 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	880 W
Serie:	BSMx
Verpackung:	Tray
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	50 ns
Höhe:	21.1 mm
Länge:	122 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	70 ns
Verpackung ab Werk:	12
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	165 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Breite:	45.6 mm
Gewicht pro Stück:	302.171 g

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Datenblatt

BSM180D12P3C007 Datenblatt (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

CNHTS:: 8504901900
USHTS:: 8541590080
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.