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BSM180D12P2C101

Name: ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180D12P2C101
Price: 377.05 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSM180D12P2C101

Herst.- Nr.:

BSM180D12P2C101

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module Mod: 1200V 180A (no Diode)

Datenblatt:

BSM180D12P2C101 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	204 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.36 kW
Serie:	BSMx
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	90 ns
Höhe:	21.1 mm
Länge:	122 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	90 ns
Verpackung ab Werk:	12
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	300 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	80 ns
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Breite:	45.6 mm
Gewicht pro Stück:	50 g