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BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 505.51 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSM180C12P2E202

Herst.- Nr.:

BSM180C12P2E202

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

Datenblatt:

BSM180C12P2E202 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	204 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.36 kW
Serie:	BSMx
Verpackung:	Tray
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32 ns
Höhe:	15.4 mm
If - Durchlassstrom:	180 A
Länge:	152 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	36 ns
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	139 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	49 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.6 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Breite:	62 mm

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Test/Quality Data

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.